아주 미세한 Gun Electron Source(전자원)으로 부터 인가된 일차 전자가 시료에 조사되면서 발생되는 다양한 전자 (Secondary Electron, Backscattered Electron, Cathode Luminescence, etc.)를 이용하여 시료 표면의 미세한 구조를 확대 ,관찰하는 기기로서 일반 광학현미경과 비교하여 분해능과 집점심도가 우수하여 sample의 표면관찰은 물론 조성등을 관찰함으로서 시료의 특성 ,표면구조 및 결합을 관찰하는데 사용되는 분석기기이다. 특히 낮은 가속전압으로도 고분해능및 고배율을 얻을수 있는 기기이다.

아주 미세한 Gun Electron Source(전자원)으로 부터 인가된 일차 전자가 시료에 조사되면서 발생되는 다양한 전자 (Secondary Electron Backscattered Electron Cathode Luminescence etc.)를 이용하여 시료 표면의 미세한 구조를 확대 관찰하는 기기로서 일반 광학현미경과 비교하여 분해능과 집점심도가 우수하여 sample의 표면관찰은 물론 조성등을 관찰함으로서 시료의 특성 표면구조 및 결합을 관찰하는데 사용되는 분석기기이다. 특히 낮은 가속전압으로도 고분해능및 고배율을 얻을수 있는 기기임

• 주조 제품의 경우 조직 내 개재물 분포 조직의 형상이 제품 전체 특성을 결정짓는 중요한 요인이므로 더욱 정밀한 분석을 할 수 있는 전계방사 주사전자현미경이 활용도가 높음
• 금속 및 비금속 시료의 표면형상 분석
• 재료의 미세조직 분석: 개재물 분포 등
• 재료의 구성원소 분석 등

- Cold field emission type
- 해상도 : 1.0nm at 15k 1.3nm at 1kV
- 배율: on photo mode, 20 - 2,000,000
< 가속전압 >
- standard mode: 0.5 ? 30kV
- deceleration mode: 0.1 ? 2.0kV
< Electron Optics >
- 조사 전류: 1pA ? 2nA
- 대물렌즈 조리개: 4종류 중 선택가능 (100-50-50-30μm)
- Secondary Electron Detector: TUpp Lower
- Backscattered Electron Detector 추가 장착: Semiconductor type
< 시편 관측 >
- X: 0-50mm; Y: 0-50mm; Z: 1.5-30mm
- Tilting: -5°- +70°
- Rotating: 360°(연속)
- 최대 허용 시편 크기 : 100mm dia.
- fully 5-axis motor driven with linked magnification sensor
< Energy Dispersive Spectrometer >
- 해상도 : 125eV 이상 (Mn Kα)
- 측정 면적: 20mm2
- 측정 원소 범위: 4Be to 94Pu
< 절연체 재료 분석을 위한 표면 코팅 >
- Ion Sputter Coater incl. Pt target
- Carbon Coating Unit